徐永珍老師指導的ASDA(Advanced Si-based Devices and Applications)實驗室執行100年度國科會微電子學門研究計畫”標準SiGe BiCMOS製程下光偵測器特性研究及其應用”，產出優異的研究成果。在標準0.35 um SiGe BiCMOS中，透過LAYOUT技巧以及利用原本製程步驟，成功創造PTPD以及HPT兩種新元件，其光響應度可比一般矽的光二極體高出數十倍，且完全不需要增加額外製程步驟，可方便整合於電路中。此兩種新元件善用SiGe BiCMOS既有特點，即品質佳的p-n junction、SiGe較高的光吸收係數、自然的雙級電晶體等，而獲得極高的光響應度。

徐永珍老師重視研究生的學習態度，要求學生能夠自主學習，遇到問題與老師討論。老師也很熱愛運動，尤其是籃球，時常對研究生強調要多運動，早點睡。實驗室同仁在老師的帶領下，十分團結。下圖為徐永珍老師帶領ASDA實驗室研究生於新竹17公里海岸線騎乘單車時留影。